MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測(cè)試儀       

用于生產(chǎn)和研究實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用的MDpicts pro（高分辨率變溫少子壽命測(cè)試儀系統(tǒng)）。全自動(dòng)設(shè)備，以非接觸、無(wú)破壞方式繪制材料的電輸運(yùn)特性。一般來(lái)說(shuō)，MDpicts pro系統(tǒng)能夠適用于各種不同材料和制備階段的測(cè)量，范圍從硅原料、裸晶圓到不同的制備階段，再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體，可以研究電阻率高于0.3 Ω cm的單晶硅和多晶硅。重點(diǎn)是缺陷再發(fā)射、少數(shù)載流子壽命以及光電導(dǎo)率的溫度相關(guān)測(cè)量。研究污染物和電活性晶體缺陷。

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測(cè)試儀材料： 

MDpicts pro 能夠?qū)缀跛邪雽?dǎo)體進(jìn)行電學(xué)表征 

碲鎘汞｜碳化硅 | 化合物半導(dǎo)體 | 氧化物 | 寬帶隙材料 | 鈣鈦礦| 外延層

[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]  and more

重點(diǎn)優(yōu)勢(shì)： 

1）從窄禁帶材料到寬禁帶材料的全覆蓋測(cè)試

2）實(shí)現(xiàn)材料缺陷的根本原因分析：無(wú)損、靈活且精確

3）空間分辨率高

4）同時(shí)具備瞬態(tài)μPCD和穩(wěn)態(tài)MDP測(cè)量

5）可定制激光與光學(xué)集成方案，適配各類(lèi)材料需求

6）原位新型低溫恒溫測(cè)試系統(tǒng)，

7）支持4英寸樣品測(cè)試 

技術(shù)規(guī)格：  

應(yīng)用案例： 

光束誘導(dǎo)電流（LBIC） 

該過(guò)程基于對(duì)太陽(yáng)能電池中局部電流（Isc）的測(cè)量，該電流通過(guò)激光誘導(dǎo)的方式產(chǎn)生 

微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)譜（MD-PICTS） 

為研究半導(dǎo)體中的缺陷，溫度依賴型方法（類(lèi)似深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS））已被廣泛應(yīng)用。 

磷化銦（InP）中缺陷能級(jí)的研究 

微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)譜（MD-PICTS）是研究磷化銦（InP）中缺陷能級(jí)的理想方法。例如，對(duì)磷化銦的研究表明，退火過(guò)程中材料的缺陷含量會(huì)發(fā)生變化……